電界効果トランジスタ(FET)とは？
電界効果トランジスタ(FET)とは、半導体素子の一種であり、増幅やスイッチングといった機能を持っています。
FETは、バイポーラトランジスタと比較して、高速、低ノイズ、低消費電力などの特徴を持っています。また、FETはトランジスタの中でも最もシンプルな構造であり、信頼性が高く、低コストで製造することができます。
FETの基本概念
FETは、ゲート端子に印加された電圧によって、ドレインとソース間を流れる電流を調整することができます。ゲート端子とドレイン/ソース間の絶縁体（オキシド）に形成された電界の強さに応じて、ドレイン/ソース間の抵抗値が変化するため、電流が流れるかどうかが決まります。
FETは、ゲート-ソース電圧によって開口度が変化することで動作するため、バイポーラトランジスタと比較してより低い電力で動作することができます。
FETの特徴
FETの主な特徴は以下の通りです。
– 高速動作：ゲート-ソース電圧によって開口度が変化するため、非常に高速な動作が可能です。
– 低ノイズ：内部構造がシンプルであり、雑音が少ないため、低ノイズな動作が可能です。
– 低消費電力：バイポーラトランジスタよりも低い消費電力で動作することができます。
– 高入力抵抗：ゲート端子とドレイン/ソース間に絶縁体があるため、非常に高い入力抵抗を持っています。
– 双極性トランジスタよりも信頼性が高い：内部構造がシンプルであるため、信頼性が高いです。
以上が、FETの基本概念と特徴についての解説です。FETは、半導体素子の中でも重要な役割を担っており、今後のデバイスの進歩にも大きく貢献していくことになるでしょう。