MRAM磁気抵抗メモリとは？
MRAM磁気抵抗メモリとは、非揮発性のメモリで、SRAM、DRAM、NANDフラッシュメモリ、HDD、SSDといった従来のデータ保存技術とは異なる新しい保存技術です。MRAM磁気抵抗メモリは、磁気抵抗効果を利用して情報を保存するため、保存した情報を電源が off になっても保持し続けることができます。また、高速な読み書きが可能であるため、様々な応用に適しています。
MRAM磁気抵抗メモリの基本原理
MRAM磁気抵抗メモリは、磁気トンネル接合効果を利用して情報を保存します。磁性体の磁気の向きがトンネル壁の回転角度によって変化し、その磁気の向きに対して電気抵抗が変化する性質を利用しています。データは、マグネットとトンネル壁を張り合わせた構造のセルに記録されます。書き込み時には、セルに電流を流してマグネットの向きを変え、読み出し時にマグネットに磁力をかけることでトンネル壁の状態を読み出します。
MRAM磁気抵抗メモリの応用分野
MRAM磁気抵抗メモリは、高速な読み書きが可能であることから、CPUキャッシュメモリや電源の断断時にもデータを保持するメモリとして、次世代のコンピュータやIoT、車載電子機器などの分野での利用が期待されています。また、従来のフラッシュメモリでは性能的に課題となっていた大容量化にも対応できるため、今後のデータセンターのストレージなどにも利用される可能性があります。
以上が、MRAM磁気抵抗メモリの基本概念から応用分野までの解説です。MRAM磁気抵抗メモリは、これまでのデータ保存技術とは異なる仕組みを持っており、今後の情報技術の進化に大きく寄与することが期待されています。