相変化メモリとは？PCMの基本概念と応用を解説
相変化メモリ（Phase Change Memory、以下PCM）は、電気信号による相変化を利用したデータの書き込み・読み出しを行うメモリ技術の一つです。現在の主流であるフラッシュメモリと比べて、高速な書き込み・読み出しが可能であり、低電力化にも寄与するとされています。
具体的には、薄いセル素子に溶融させた物質を冷却し、ある相から別の相に変化させることで、データを記憶する仕組みを持ちます。この相変化は、結晶化とアモルファス化の2つの状態を持ち、それぞれ「0」と「1」に対応させてデータを記憶することができます。
高速な書き込み・読み出しに加え、PCMは再書き込みが可能であるため、フラッシュメモリに比べて耐久性に優れています。また、電源供給が切れた場合でも、記憶データが残るため、モバイル端末や車載の安全装置など、高い信頼性が求められる分野での活用が期待されています。
さらに、PCMは人工知能（AI）の分野でも注目を集めています。AIにおいては、高速なデータ処理が求められますが、その中でも特に重要なのが「推論」と呼ばれる処理です。PCMは、推論において必要な行列計算を高速に実現することができるため、AIにおける高速処理の実現に大きく貢献するとされています。
結論として、PCMは高速な書き込み・読み出し、耐久性、高い信頼性、AI分野での応用に優れたメモリ技術であることが分かりました。今後も、より進化したPCMの技術に注目が集まることが予想されます。